材质 | 纯钨 | 规格 | 各种规格 |
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用途 | 镀膜,屏蔽件,离子注入件,电子管栅极 | 工艺 | 轧制-磨光 |
密度 | 19.3g/cm3 | 熔点 | 3410° |
钨含量 | ≥99.95% | 极限厚度 | ≥0.05mm |
莫氏硬度 | 7.5 | 运费 | 供方承担运费 |
高纯钨靶和高纯钨钛合金靶、钨硅复合靶材通常被施以磁控溅射的方式制作各种复杂和高性能的薄膜材料。由于高纯钨或超纯钨(5 N或6 N)具有对电子迁移的高电阻、高温稳定性以及能形成稳定的硅化物,在电子工业中常以薄膜形式用作栅极、连接、过渡和障碍金属。超高纯钨及其硅化物还用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等。钨钛合金溅射靶材常用于制作薄膜系太阳能电池的过渡金属层。
钨、钼及其合金因具有良好导热、导电、低热膨胀系数、高温强度、低蒸气压和耐磨等特性而成为电子 电力设备制造业、金属材料加工业、玻璃制造业、高温炉件结构部件制造、航空航天和国防工业应用的重要材料。 |
应用领域:
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